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J-GLOBAL ID：200903081529360350

電気的特性劣化検出方法およびその装置

Inventor：
堀内 利一

About 堀内 利一

, 
菅原 良孝

About 菅原 良孝


Applicant, Patent owner：
関西電力株式会社

About 関西電力株式会社


Agent (1)： 岡崎 謙秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007186263
Publication number (International publication number)：2007309948
Application date： Jul. 17, 2007
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】半導体素子等に定格電圧よりも高い電圧を加えることなく、十分に低い電圧印加によって電気的特性劣化を簡便に、且つ精度良く検出することのできる、新しい電気的特性劣化検出方法およびその装置を提供する。【解決手段】半導体素子または等価インピーダンスが静電容量と抵抗との並列接続で表される対象物の電気的特性の劣化を検出する方法であって、非導通状態の前記半導体素子または前記対象物に定格電圧以下で交流電圧と直流電圧が合わさった波形の電圧を印加して前記半導体素子または前記対象物に流れるリーク電流を検出し、印加電圧に対して一定の位相角を有するリーク電流の大きさを導出し、導出した一定の位相角を有するリーク電流の大きさに基づいて前記半導体素子または前記対象物の良否を判定する。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
半導体素子または等価インピーダンスが静電容量と抵抗との並列接続で表される対象物の電気的特性の劣化を検出する方法であって、非導通状態の前記半導体素子または前記対象物に定格電圧以下で交流電圧と直流電圧が合わさった波形の電圧を印加して前記半導体素子または前記対象物に流れるリーク電流を検出し、印加電圧に対して一定の位相角を有するリーク電流の大きさを導出し、導出した一定の位相角を有するリーク電流の大きさに基づいて前記半導体素子または前記対象物の良否を判定することを特徴とする電気的特性劣化検出方法。
IPC (3)：
G01R 31/00 ,  G01R 31/26 ,  G01R 27/02
FI (4)：
G01R31/00 ,  G01R31/26 D ,  G01R31/26 C ,  G01R27/02 A
F-Term (31)：
2G003AA03 ,  2G003AA04 ,  2G003AB05 ,  2G003AC08 ,  2G003AE01 ,  2G003AE02 ,  2G003AF03 ,  2G003AF06 ,  2G003AH01 ,  2G003AH02 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  2G003AH10 ,  2G028BB11 ,  2G028BB12 ,  2G028CG08 ,  2G028DH03 ,  2G028DH05 ,  2G028DH10 ,  2G028GL02 ,  2G028LR04 ,  2G028MS02 ,  2G036AA20 ,  2G036AA24 ,  2G036AA27 ,  2G036BA01 ,  2G036BB02 ,  2G036BB08 ,  2G036BB09 ,  2G036BB20 ,  2G036CA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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