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J-GLOBAL ID：200903081530701927

プラズマ処理装置

Inventor： 輿水 地塩
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240663
Publication number (International publication number)：1995073995
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構造で低圧雰囲気下で高密度、大口径、高均一のプラズマを発生させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本装置は、電磁波を透過する絶縁材料、例えば石英から構成された処理室2の外壁を螺旋状に囲むループアンテナ3を備えている。ループアンテナ3の一方端は開放端3Aであり、他方端3Bには高周波電源が接続されている。また被処理体Wが載置されたサセプタ9は接地されている。かかる簡単な構造であっても、アンテナ3に高周波電圧を印加することにより、低圧雰囲気において高密度、大口径、高均一のプラズマを処理室2内に発生させることができる。

Claim (excerpt)：

所定の減圧雰囲気にて被処理体を処理すべく気密に構成された処理室と、その処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、その処理室内を排気する排気手段と、前記処理室内に設置され前記被処理体を載置するサセプタと、前記被処理体の処理面よりも上方において前記処理室の外壁を螺旋状に囲み一方端が開放端に形成され他方端に高周波電源が接続されたアンテナ手段と、前記被処理体の処理面の近傍に設けられ導電性材料から構成された接地手段とを備え、前記処理室の少なくとも前記アンテナ手段が囲む部分が電磁波を透過する絶縁材料から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H