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J-GLOBAL ID:200903081531733644
表面処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
保立 浩一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997369355
Publication number (International publication number):1999195500
Application date: Dec. 31, 1997
Publication date: Jul. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】 低UHF帯のマイクロ波を使用して広い領域に均一なプラズマを形成して大面積の対象物に均一な表面処理を行なえるようにする。【解決手段】 マイクロ波発生器1が発生させた低UHF帯のマイクロ波は、円筒形の空胴共振器2に対して同軸上に配置されたアンテナ13によって空胴共振器2内に電界結合方式で導入される。マイクロ波は空胴共振器2内でTM010モードで共振し、完全軸対称性を有する。空胴共振器2の一部である放射板22に軸対称状に設けられた複数の円形の放射穴23を通して処理容器3にマイクロ波が均等に放射され、処理容器3内のガスが均一にプラズマ化し、このプラズマによって基板30に均一な処理が施される。
Claim (excerpt):
300MHzから1GHzの低UHF帯のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段が発生させるマイクロ波がTM010 モードで共振するよう形成された円筒形の空胴共振器と、マイクロ波発生手段が発生させたマイクロ波をこの空胴共振器に導入するマイクロ波導入手段と、空胴共振器からマイクロ波が放射されるように空胴共振器に接続された気密な処理容器と、放射されたマイクロ波のエネルギーによってプラズマ化するガスを処理容器内に供給するガス供給系と、プラズマによって処理される位置に処理対象物を保持する保持手段とを備え、前記マイクロ波導入手段は、空胴共振器の中心軸と同軸上に配置されたアンテナを有しており、このアンテナからマイクロ波が電界結合方式により励振されて空胴共振器内に導入されることを特徴とする表面処理装置。
IPC (7):
H05H 1/46
, C23C 14/35
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (7):
H05H 1/46 B
, C23C 14/35 F
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
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