Pat

J-GLOBAL ID：200903081539545863

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 内山 朋幸
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306368
Publication number (International publication number)：1994132245
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板上に金属シリサイド層を有する半導体装置を熱処理した際に金属シリサイド層からのシリコンの吸い出しを防止して内部応力の発生を防止すると共に金属シリサイド層の上層に形成されるべきシリコン酸化膜の絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 基板上の金属シリサイド層上にアモルファスシリコン層を設けることにより、熱処理時にシリコン酸化膜のシリコンが主にアモルファスシリコン層から吸い出されることから金属シリサイド層内に応力が発生する心配がない。また、アモルファスシリコン層が熱処理時の酸化保護層として機能し、金属シリサイド層中の金属が酸化する心配がないことからシリコン酸化膜に良好な絶縁性が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に金属シリサイド層を有する半導体装置であって、前記金属シリサイド層上に、アモルファスシリコン層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G