Pat

J-GLOBAL ID：200903081544208387

半導体装置

Inventor： 山本 充彦 ,  石田 秀樹 ,  後藤 邦彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058396
Publication number (International publication number)：1993259390
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、スイッチド・キャパシタ回路のようにキャパシタ群とトランジスタ群とを有する半導体装置に関し、スイッチド・キャパシタ回路において半導体基板とウエル間の寄生容量が少なく、また、外部からのノイズやスイッチ群で発生するノイズの影響を受け難い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】絶縁物層24上に形成された半導体層26に、半導体層26の膜厚全体の深さを有する第1ウエル28と、半導体層26の途中までの深さを有する第2ウエル30、32を形成し、第1ウエル28上にキャパシタ群12を形成し、第2ウエル30、32上にスイッチ群10とオペアンプ群14をそれぞれ形成するように構成する。

Claim (excerpt)：

絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層の膜厚全体の深さを有する第1ウエルと、前記半導体層の途中までの深さを有する第2ウエルと、前記第1ウエル上に形成され、複数のキャパシタを有するキャパシタ群と、前記第2ウエル上に形成され、複数のトランジスタを有するトランジスタ群とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H03H 19/00