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J-GLOBAL ID：200903081548610511

表面処理装置

Inventor： 伊藤 仁 ,  須黒 恭一 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄 ,  奥村 勝弥 ,  永関 一也 ,  桧森 慎司 ,  望月 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096817
Publication number (International publication number)：1994291063
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ中のイオンによって反応容器の内壁がスパッタされることによる被処理基体の汚染を防止し得るプラズマを利用した表面処理装置を提供すること。【構成】プラズマ源ガスを導入する反応容器1と、この反応容器1の電位を制御する第2の直流電圧電源26と、反応容器1内に設けられ、被処理基体2を載置する支持台3と、この支持台3の電位を制御する第1の直流電圧電源25と、電子を生成する第1の真空容器6と、上記電子を加速し、電子ビームを内反応容器1内に導き、上記プラズマ源ガスをプラズマするための電極10,コイル15,17とを備えている。

Claim (excerpt)：

プラズマ源ガスが導入される表面処理室と、この表面処理室の電位を制御する手段と、前記表面処理室内に設けられ、被処理基体を載置する支持台と、この支持台の電位を制御する手段と、電子を生成する電子生成手段と、前記電子を加速し、この加速された電子を前記表面処理室内に導き、前記プラズマ源ガスをプラズマ化する手段とを具備してなることを特徴とする表面処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/46