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J-GLOBAL ID：200903081553701681

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098228
Publication number (International publication number)：2002293840
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1a)及び(1c)、又は(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。(式中、R1、R2、R5〜R7、R9、R11は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3はフッ素原子、又は炭素数1〜20のフッ素化されたアルキル基である。R4及びR8は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R10とR12は水素原子又は炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基もしくはフッ素化された一価の炭化水素基である。)【効果】 本レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、優れたプラズマエッチング耐性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)及び(1c)、又は(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>〜R<SP>7</SP>、R<SP>9</SP>、R<SP>11</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>及びR<SP>8</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>10</SP>とR<SP>12</SP>は水素原子又は炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状もしくは環状の一価の炭化水素基もしくはフッ素化された一価の炭化水素基である。R<SP>10</SP>とR<SP>12</SP>は結合して環を形成してもよく、その場合にはR<SP>10</SP>とR<SP>12</SP>で炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の二価の炭化水素基を示す。0<a<1、0≦b<1、0<c<1であり、0<a+b+c≦1である。)

IPC (8)：

C08F220/22 ,  C08F216/12 ,  C08F220/18 ,  C08K 5/00 ,  C08L 29/10 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601

FI (8)：

C08F220/22 ,  C08F216/12 ,  C08F220/18 ,  C08K 5/00 ,  C08L 29/10 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601

F-Term (95)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF08 ,  2H025BG00 ,  2H025CB07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J002BE04W ,  4J002BG03W ,  4J002BG07W ,  4J002BG08W ,  4J002EB116 ,  4J002EJ038 ,  4J002EJ068 ,  4J002EN027 ,  4J002EN037 ,  4J002EN067 ,  4J002EN077 ,  4J002EN097 ,  4J002EU026 ,  4J002EU047 ,  4J002EU117 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV286 ,  4J002EW176 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J100AE02Q ,  4J100AE09Q ,  4J100AL02R ,  4J100AL08R ,  4J100AL26P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA30P ,  4J100BA30Q ,  4J100BA30R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC52P ,  4J100BC52Q ,  4J100BC52R ,  4J100BC55P ,  4J100BC55Q ,  4J100BC55R ,  4J100BC58P ,  4J100BC58Q ,  4J100BC58R ,  4J100BC65P ,  4J100BC65Q ,  4J100BC65R ,  4J100BC79P ,  4J100BC79Q ,  4J100BC79R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭60-042411