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J-GLOBAL ID：200903081566885161

クロストークシミュレーション方法

Inventor： 泉 正夫
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 幸男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050461
Publication number (International publication number)：1996221454
Application date： Feb. 15, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プリント基板設計等の際に、基板構造まで考慮した適切な精度で高速にクロストークシミュレーションを実行する。【構成】 配線パターン1の解析対象となる部分1Aを例えば2平行線標準基板モデルとして近似する。その結合係数は結合係数テーブル4により求める。なお、基板構造に起因する誤差をなくすため、基板構造の相違に着目した変化率テーブル6を参照して補正する。こうして得た実効結合係数からその2平行線標準基板モデルによるクロストーク雑音電圧が得られる。解析対象となる部分が複数のモデルを組み合わせたパターンであれば、個々に求めたクロストーク雑音電圧の総和を求める。限界値を超えていれば、設計上のエラーとして表示する。このようなシミュレーションは電磁界シミュレータによる演算処理に比べて十分高速処理ができる。

Claim (excerpt)：

標準基板モデルの線間の結合係数を、その導体配置をパラメータとして演算した結果をテーブル化したものを用意して、基板上に形成された配線パターンの解析対象となる部分を、前記テーブル中のいずれかの標準基板モデルで近似するとともに、基板の構造に起因するパラメータを段階的に変化させた場合の、前記結合係数の変化率を予め演算してテーブル化したものを参照して、前記標準基板モデルの結合係数を補正し、前記配線パターンの解析対象となる部分の実効結合係数を求めることを特徴とするクロストークシミュレーション方法。