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J-GLOBAL ID：200903081589561703

絶縁体の堆積方法

Inventor： パン-ドウ フー ,  タイ-チャン ドナルド フオ ,  マン フェイ ヤン
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991195027
Publication number (International publication number)：1994177123
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高アスペクト比の金属パターンであっても、その上に実質的にソフトスポット及びキーホールを有さない二酸化シリコン膜を比較的高速かつラジエーションダメージ、膜厚不均一性、及び微粒子混入等の潜在的な問題点を有さずに堆積させる方法を提供する。【構成】 酸素、アルゴン、及びテトラエチル・オルソシリケート(TEOS)あるいはテトラメチル・シクロテトラシロキサン(TMCTS)よりなるプラズマから高周波デポジションによって基板上に二酸化シリコン層を形成する方法が記載されている。前記基板には負のバイアス電圧が印加されている。その結果、イオン打ち込みにより表面マイグレーションが誘起される。TEOS及びTMCTSが表面マイグレーションに関して比較的大きな平均自由行程を有するため、ソフトスポット及びキーホールの充填が促進される。

Claim (excerpt)：

a)基板表面に形成されそれ以降に堆積される二酸化シリコン膜中にソフトスポット及びキーホールを生ぜしめる可能性を有する金属パターンを前記表面に有する前記基板を真空チャンバー内に配置するステップと;b)プラズマ中において反応して堆積のための二酸化シリコンを形成し得る混合ガスを供給するステップと;c)前記混合ガスを前記基板上に流すステップと;d)前記混合ガスがプラズマを形成し、当該プラズマから二酸化シリコンが基板上に堆積されて当該二酸化シリコンが膜を形成するよう前記基板にRF電界を印加するステップと;を含み、e)前記混合ガスが、酸素、アルゴン、及び、TEOS及びTMCTSよりなるグループのうちの少なくとも一つの有機シリコン化合物を含み;f)前記基板が負のdcバイアス電圧に維持され;g)前記dcバイアス電圧及び前記混合ガスの組成が、結果として得られる二酸化シリコン膜が実質的にソフトスポット及び/あるいはキーホールを有さないものであるように選択される;ことを特徴とする絶縁体の堆積方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-027132
  
• 特開平1-298725
  
• 特表昭55-501202