試料の分離装置及び分離方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998211510
Publication number (International publication number)：2000049062
Application date： Jul. 27, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】内部に分離用の層を有する貼り合わせ基板を分離する際に欠陥が発生することを防止する。【解決手段】内部に多孔質層101bを有する貼り合わせ基板101を第1及び第2工程の2段階で分離する。第1工程では、貼り合わせ基板101を回転させながら多孔質層101bに向けてジェットを噴射して、多孔質層101bの中央部分を未分離領域として残すようにして、貼り合わせ基板101を部分的に分離する。第2工程では、貼り合わせ基板101の回転を止めた状態で、多孔質層101bに対してジェットを噴射して、これにより、未分離領域に対して所定方向から力を作用させて、貼り合わせ基板101を完全に分離する。

Claim (excerpt)：

内部に分離用の層を有する試料を該分離用の層で分離する分離装置であって、前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして、該分離用の層で前記試料を部分的に分離する第1の分離手段と、前記第1の分離手段により処理された前記試料の前記未分離領域に対して所定方向から力を作用させて前記試料を完全に分離する第2の分離手段と、を備えることを特徴とする分離装置。

IPC (4)：

H01L 21/02 , H01L 21/304 601 , H01L 21/304 , H01L 27/12

FI (4)：

H01L 21/02 B , H01L 21/304 601 Z , H01L 21/304 601 S , H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体基体とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-305356 Applicant：大見忠弘, キヤノン株式会社
イオン打込ステップを備えるとともに、イオンから保護された領域を具備した、特に半導体膜からなる、薄膜を得るための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-531680 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041709 Applicant：キヤノン株式会社

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