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J-GLOBAL ID:200903081606896730
MOS型集積回路装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995043723
Publication number (International publication number):1996130250
Application date: Mar. 03, 1995
Publication date: May. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】集積回路装置のウェハに膜厚が互いに異なるゲート酸化膜をフォトプロセス時にフォトレジスト用の樹脂で汚染されることなく成膜する。【構成】ウェハ10の表面のゲート酸化膜23や24を成膜すべき全ての個所を窒化シリコン等の耐酸化性膜13で覆った状態でフィールド酸化膜14を付ける選択酸化を施した後にフォトエッチングを施して、耐酸化性膜13を厚いゲート酸化膜24を成膜すべき個所から除去し、従って薄いゲート酸化膜23の成膜個所に耐酸化性膜13を被覆した状態で熱酸化によって厚いゲート酸化膜24を成膜し、さらにウェハ10の表面から耐酸化性膜13をすべて除去した状態で熱酸化によって薄いゲート酸化膜23を成膜しかつ厚いゲート酸化膜24を積み増すことにより、ロジツク部21および高耐圧部22のトランジスタ41と42用に膜厚が互いに異なるゲート酸化膜23と24を成膜する。
Claim (excerpt):
同一半導体基板上に厚さの異なる二つのゲート酸化膜を有するMOS型集積回路装置の製造方法において、ゲート酸化膜を成膜すべきすべての個所を耐酸化性膜により覆った状態で熱酸化を施す選択酸化工程と、薄い方のゲート酸化膜を付けるべき個所に耐酸化性膜を残した状態で熱酸化により厚い方のゲート酸化膜を成膜する第一酸化工程と、耐酸化性膜を除去した状態で熱酸化により薄い方のゲート酸化膜を成膜する第二酸化工程とを含むことを特徴とするMOS型集積回路装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (4):
H01L 27/08 102 A
, H01L 27/08 102 C
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-271659
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特開昭56-091447
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特開平4-103162
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特開平3-184368
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特開昭63-313824
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