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J-GLOBAL ID:200903081612587111

CVD用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 大輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002116054
Publication number (International publication number):2003306472
Application date: Apr. 18, 2002
Publication date: Oct. 28, 2003
Summary:
【要約】【解決課題】 CVD法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための原料化合物について、常温で液体状態であり、更に、安定性が良好で蒸気圧が高く、基板に対して密着性が高い薄膜を得ることができるものを提供すること目的とする。【解決手段】 本発明は、有機ルテニウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物において、ルテニウムに2つのβ-ジケトン類が配位し、更にジエン類、ジアミン類、2つの有機配位子が配位した有機ルテニウム化合物を主成分とするものである。本発明では、配位するβ-ジケトン類の炭素数、ジエン類等の種類を規定することで有機ルテニウム化合物の蒸気圧を好ましいものとしている。
Claim (excerpt):
有機ルテニウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物において、前記有機ルテニウム化合物は、次式で示される、ルテニウムに2つのβ-ジケトン類及び1つのジエン類が配位した有機ルテニウム化合物であるCVD用原料化合物。【化1】(構造式中、β-ジケトン類の置換基であるR1、R2はアルキル基であり、R1、R2に含まれる炭素数の合計は3〜5である。また、ジエン類を構成する有機基であるR3、R4、R5は、相互に連結して環を形成しても良い。)
IPC (4):
C07C211/65 ,  C07C 49/92 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/18
FI (4):
C07C211/65 ,  C07C 49/92 ,  C07F 15/00 A ,  C23C 16/18
F-Term (11):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB99 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB99 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特許第6303809号
  • 特許第1213538号
  • ルテニウム系薄膜
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-016114   Applicant:旭電化工業株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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