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J-GLOBAL ID：200903081622516824

III族窒化物半導体発光素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118314
Publication number (International publication number)：1998308531
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 母相と母相中に散在するインジウム含有III 族窒化物半導体結晶体とからなる発光層を備えたIII 族窒化物半導体発光素子にあって、発光の単色性且つ発光強度に優れる発光素子を提供する。【解決手段】 発光層に含有される結晶体の総量を2×1018個/cm3 以下とする。特に層厚20nm以下の発光層について、発光層の単位体積内に含有される結晶体の数量(個/cm3 )を、発光層厚(t:cm)に対して、5.0×1023×tで与えられる数値以下とする。

Claim (excerpt)：

母相と母相中に散在するインジウム(In)を含むIII 族窒化物半導体からなる直径或いは横幅にして30nm以下の略球状或いは島状の結晶体とから構成される発光層であって、母相に含有される当該結晶体の総量を2×1018個/cm3 以下とする発光層を備えたIII 族窒化物半導体発光素子。