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J-GLOBAL ID：200903081642517720
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064183
Publication number (International publication number)：1993267776
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光出射端面における酸化物に起因する表面準位を抑制することができ、高出力状態においても端面破壊が生じにくいようにする。【構成】 半導体レーザ装置の光出射端面上にInP又はInGaPを含む材料からなる層51が形成されている。この層51は格子定数がAlGaAs活性層13よりも大きいので、圧縮応力を受けて、層51のバンドギャップが著しく大きくなる。この層51の表面にもわずかに表面準位が形成されるものの、その表面準位に捕捉されたキャリアは、AlGaAs活性層13の伝導帯あるいは価電子帯へトンネリング効果で再注入され発光に使われるので、表面での発熱にはつながらない。つまり、この層51は一種の窓層として作用する。したがって、AlGaAs系の半導体レーザ装置に於て端面破壊が起こりにくくなる。
Claim (excerpt)：
複数層を積層してなるレーザ素子の1つの層がAlGaAs活性層からなる半導体レーザ装置において、該レーザ素子の光出射端面にInP又はInGaPを含む材料からなる層が形成されている半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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