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J-GLOBAL ID：200903081654933745

光学的に構成可能なナノチューブまたはナノワイヤ半導体デバイス

Inventor： ボルゲッティ ジュリアン ,  ブルゴアン ジャン-フィリップ ,  モルダン パスカル ,  ドリケ ヴィンセント ,  フィロラモ アリアンナ ,  ゴフマン マルセロ
Applicant, Patent owner： コミサリア ア レネルジィ アトミーク
Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007521981
Publication number (International publication number)：2008507145
Application date： Jul. 19, 2005
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

本発明は、少なくとも2つの電極と、少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ(特にカーボンナノチューブまたはナノワイヤ)を備える半導体デバイスであって、少なくとも1種の感光材料の分子またはナノ結晶からなる少なくとも1つの層により部分的に被覆される領域を少なくとも1つ有する少なくとも1つの半導体ナノチューブまたはナノワイヤを備え、2つの前記電極間が、少なくとも1つのナノチューブ、すなわち、前記半導体ナノチューブまたはナノワイヤと、必要に応じて少なくとも1つの他のナノチューブまたはナノワイヤにより電気接続されることを特徴とする半導体デバイスに関する。【選択図】図1a

Claim (excerpt)：

少なくとも2つの電極と、少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ(特にカーボンナノチューブまたはナノワイヤ)を備える半導体デバイスであって、少なくとも1種の感光材料の分子またはナノ結晶からなる少なくとも1つの層によって部分的に被覆される領域を少なくとも1つ有する少なくとも1つの半導体ナノチューブまたはナノワイヤを備え、2つの前記電極間が、少なくとも1つのナノチューブ、すなわち、前記半導体ナノチューブまたはナノワイヤと、必要に応じて少なくとも1つの他のナノチューブまたはナノワイヤにより電気接続されることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (7)：

H01L29/66 L ,  H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

F-Term (3)：

5F110AA07 ,  5F110CC10 ,  5F110GG01