Pat

J-GLOBAL ID：200903081665915439

補酵素再生用修飾電極

Inventor： 中村 良治 ,  谷内 ▲あきら▼
Applicant, Patent owner： 第一工業製薬株式会社
Agent (1)： 赤岡 迪夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992335505
Publication number (International publication number)：1994153904
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ビオロゲンによる反応系の汚染を防止し且つ電極の反復使用をも可能とした、酸化還元酵素反応を利用した酸化又は還元工程において使用する補酵素再生用電極。【構成】 電極表面上に、ニトロアニリン類の電解酸化重合とそれに続く電解還元による又はフェニレンジアミン類の電解酸化重合により、密着して形成されたアミノ基を有する重合物層を備え、且つ、該アミノ基の水素原子の少なくとも一部を、【化1】(式中、nは2乃至10の整数を表す。)で示される基により置換してなるものである、補酵素再生用修飾電極、並びに、該修飾電極の重合物層中に残存するアミノ基の少なくとも一部に酸化還元酵素及び/又はニコチンアミド系補酵素誘導体を共有結合により固定化したことを特徴とする補酵素再生用修飾電極。

Claim (excerpt)：

電極表面上に、ニトロアニリン類の電解酸化重合により密着して形成された重合物の層を電解還元してなるものである重合物層又はフェニレンジアミン類の電解酸化重合により密着して形成された重合物層を備え、且つ、該重合物層に存在するアミノ基の少なくとも一部の水素原子を、【化1】(式中、nは2乃至10の整数を表す。)で示される基により置換してなるものである、補酵素再生用修飾電極。

IPC (7)：

C12M 1/00 ,  C12N 9/02 ,  C12N 9/96 ,  C12N 13/00 ,  C25B 11/06 ,  C25B 3/02 ,  C25B 3/04