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J-GLOBAL ID：200903081667958330
アルミニウム系材料膜形成方法及びアルミニウム系材料膜成膜装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103741
Publication number (International publication number)：1993279853
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 容易に実現可能な手法によって、良好なAl系材料の埋め込みをも達成できる、Al系材料膜形成方法及びAl系材料膜成膜装置を提供することを目的とする。【構成】 ?@半導体ウェハ等の基体1に、Al系材料を形成後、超音波を照射しながら熱処理を行うAl系材料膜形成方法。?AAl系材料を形成した基体1に超音波振動を付与する超音波発生手段2と、該超音波振動が付与された基体を熱処理する熱処理手段とを備えるAl系材料膜成膜装置。
Claim (excerpt)：
アルミニウム系材料を基体上に成膜するアルミニウム系材料膜形成方法であって、基体にアルミニウム系材料を形成後、超音波を照射しながら熱処理を行う工程を備えることを特徴とするアルミニウム系材料膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/58
, C23C 14/14
, H01L 21/3205
