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J-GLOBAL ID：200903081671000272

新規なコポリマー、そのフォトレジスト組成物およびその深紫外線二層システム

Inventor： ビーノド・ビー・デ ,  サンジャイ・マーリク ,  ステファニー・ジェイ・ディロッカー ,  オグニアン・エヌ・ディモーヴ
Applicant, Patent owner： フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
Agent (3)： 高木 千嘉 ,  結田 純次 ,  三輪 昭次
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004548624
Publication number (International publication number)：2006504827
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

深紫外線、特に193および248nmでフォト画像形成可能な上部層コーティング、高解像度のフォトリソグラフィーを行う二層レジストシステムをつくるのに好適な新規なコポリマー。化学的に増幅されたフォトレジスト組成物、および新規なコポリマーを使用するArFおよびKrfフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適である、フォト画像形成可能なエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中で使用するのに好適な有機シリコン部分構造を提供する。

Claim (excerpt)：

構造(IA)、構造(IB)および構造(IC)

IPC (6)：

C08F 220/10 ,  C08F 222/06 ,  C08F 230/08 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027

FI (6)：

C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R

F-Term (38)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025EA10 ,  2H025FA01 ,  4J100AK32R ,  4J100AL04P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08S ,  4J100AP16T ,  4J100BA02S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12P ,  4J100BA15S ,  4J100BA76S ,  4J100BA81S ,  4J100BB17S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BD10P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-267429   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 放射線感受性組成物用酸無水物含有ポリマーの新規な製造法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-578435   Applicant：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド