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J-GLOBAL ID：200903081671592544
レジストパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052949
Publication number (International publication number)：1996250395
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 位相シフトマスクを用いることなしに、マスク上の周期パターンの空間周波数より高い空間周波数を持つ微細レジストパターンを形成することのできるレジストパターン形成方法を提供すること。【構成】 レジストパターンの形成方法において、被露光基板11上にポジ型レジスト12を塗布した後、ポジ型レジスト12にライン&スペースパターンを露光し、次いでポジ型レジスト12を現像してレジスト12の露光部を除去し、次いでポジ型レジスト12からなるパターンのスペース部分にネガ型レジスト15を塗布し、次いでポジ型レジスト12とネガ型レジスト15の境界部分を含む領域を露光し、次いでレジスト12,15を現像して、ポジ型レジスト12の露光部及びネガ型レジスト15の未露光部を除去することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
被露光基板上にポジ型又はネガ型の第1のレジストを形成する工程と、第1のレジストを所望パターンに露光する工程と、第1のレジストを現像して、第1のレジストの露光部又は未露光部を除去する工程と、第1のレジストからなるパターンの少なくともスペース部分に第1のレジストとは逆極性の第2のレジストを形成する工程と、第1のレジストと第2のレジストの境界部分を含む領域を露光する工程と、第1及び第2のレジストを現像して、第1のレジストの露光部及び第2のレジストの未露光部、又は第1のレジストの未露光部及び第2のレジストの露光部を除去する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
FI (2)：
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 502 C
