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J-GLOBAL ID：200903081675579674

イオン注入装置

Inventor： 高山 直樹
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992196474
Publication number (International publication number)：1994013018
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 例えば半導体ウエハに対して効率のよいイオン注入を行うこと。【構成】 イオン源31の出口側にイオン引き出し電極32を配置し、イオンビームの下流側に順次、質量分析器5、スリット部6、加速管7を配置し、ここから出るイオンビームの照射領域にウエハWを設定する。引き出し電極32よりも若干イオンビームの下流側位置に、イオンビームに臨むようにプラズマ発生装置4を配置する。従ってプラズマ発生装置4にて発生したプラズマ中の電子がイオンビームの正電荷に引き寄せられ、イオンビーム内には電子と正のイオンとが混在するため正のイオンの反発力が小さくなって、イオンビームの発散が抑えられる。

Claim (excerpt)：

イオン源から被処理体にイオンビームを照射して当該被処理体にイオンを注入する装置において、前記イオンビームに電子を供給して当該イオンビームの電荷を中和するための電子供給手段を設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-126220
  
• 特開昭62-052843
  
• 特開平3-093141