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J-GLOBAL ID：200903081685003452

固体表面の酸化方法とその装置

Inventor： 河本 滋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991357915
Publication number (International publication number)：1993182953
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁体-半導体接合を利用した素子の形成や、酸化物をエッチングマスクとした微細加工プロセスに適用して無損傷で酸化膜を形成する。【構成】 プラズマ室12中に形成した酸素プラズマと、試料室15内の試料112との中間に、シャッター板113を設け、プラズマ中からの酸素イオン110と光子111との、試料112への飛来を阻止する。これによって、酸素イオンと光子とによる損傷を試料に与えずに試料表面を酸化することができる。

Claim (excerpt)：

酸素プラズマを用いて固体試料表面を酸化する固体表面の酸化方法であって、固体試料に向けて直進する酸素イオン,電子及び光子などの加速粒子の飛来を阻止し、原子状酸素,酸素分子を熱運動拡散により固体試料表面に到達させることを特徴とする固体表面の酸化方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-163333
  
• 特開昭55-117244