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J-GLOBAL ID：200903081690654950
集積回路装置用配線膜の成膜方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154981
Publication number (International publication number)：1993006867
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】集積回路装置の配線膜のコンタクトホール等の微小パターンの窓の部分における断線欠陥を減少させ、かつステップカバレージを向上する。【構成】珪素を含有するアルミからなる配線用金属をまず下側配線膜に成膜した後、 450〜500 °Cの加熱下で流動化処理を施して窓の底の隅に配線用金属を充填しかつその窓内の表面形状をなだらかにした上、これを下地面として配線用金属を上側配線膜として成膜する。
Claim (excerpt)：
珪素を含むアルミを配線用金属として集積回路装置の半導体の表面を覆う絶縁膜に開口された窓内で半導体に接続するように配線膜を成膜する方法であって、配線用金属を窓内で半導体に接続する下側配線膜として成膜する工程と、加熱下で下側配線膜の配線用金属を流動化させる工程と、下側配線膜の上に配線用金属を上側配線膜として成膜する工程とを含むことを特徴とする集積回路装置用配線膜の成膜方法。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
