中性ロジウム-ホスフィン錯体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004101057
Publication number (International publication number)：2005281252
Application date： Mar. 30, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】不斉合成触媒として有用なロジウム-ホスフィン錯体を、簡単な操作で、収率よく得ることができる新規な中性ロジウム-ホスフィン錯体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式 [Rh(μ-Cl)(Q)]2(式中、Qは、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエンである。)で表わされるロジウム錯体に、MX(式中、Mは、アルカリ金属原子であり;Xは、臭素原子、ヨウ素原子である。)で表わされるアルカリ金属塩とを反応させ、[Rh(μ-X)(Q)]2(式中、QおよびXは、前記と同義である。)で表わされる中性ロジウム錯体とし、次いで光学活性ニ座ホスフィン配位子を反応させることにより[Rh(μ-X)(L)]2(式中、Xは、前記と同義であり;Lは、光学活性二座ホスフィン配位子である。)で表わされる中性ロジウム-ホスフィン錯体の製造方法。

Claim (excerpt)：

下記一般式(3): [Rh(μ-Cl)(Q)]2 (3) (式中、Qは、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエンである。) で表わされるロジウム錯体に、下記一般式(4); MX (4) (式中、Mは、アルカリ金属原子であり;Xは、臭素原子、ヨウ素原子である。) で表わされるアルカリ金属塩とを反応させ、下記一般式(2): [Rh(μ-X)(Q)]2 (2) (式中、QおよびXは、前記と同義である。) で表わされる中性ロジウム錯体とし、次いで光学活性ニ座ホスフィン配位子を反応させることを特徴とする下記一般式(1): [Rh(μ-X)(L)]2 (1) (式中、Xは、前記と同義であり;Lは、光学活性二座ホスフィン配位子である。) で表わされる中性ロジウム-ホスフィン錯体の製造方法。

IPC (4)：

C07F9/50 , B01J31/24 , C07C45/62 , C07C49/647

FI (4)：

C07F9/50 , B01J31/24 Z , C07C45/62 , C07C49/647

F-Term (77)：

4G069AA06 , 4G069AA08 , 4G069AA09 , 4G069BA27B , 4G069BA27C , 4G069BA28A , 4G069BA28B , 4G069BB08C , 4G069BC01C , 4G069BC71A , 4G069BC71B , 4G069BE03C , 4G069BE14A , 4G069BE15A , 4G069BE26A , 4G069BE26B , 4G069BE27A , 4G069BE27B , 4G069BE33A , 4G069BE33B , 4G069BE36A , 4G069BE36C , 4G069BE37A , 4G069BE37B , 4G069BE38A , 4G069BE45C , 4G069BE46C , 4G069CB02 , 4G069CB57 , 4G069FA01 , 4G069FC02 , 4G169AA06 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA27B , 4G169BA27C , 4G169BA28A , 4G169BA28B , 4G169BB08C , 4G169BC01C , 4G169BC71A , 4G169BC71B , 4G169BE03C , 4G169BE14A , 4G169BE15A , 4G169BE26A , 4G169BE26B , 4G169BE27A , 4G169BE27B , 4G169BE33A , 4G169BE33B , 4G169BE36A , 4G169BE36C , 4G169BE37A , 4G169BE37B , 4G169BE38A , 4G169BE45C , 4G169BE46C , 4G169CB02 , 4G169CB57 , 4G169FA01 , 4G169FC02 , 4H006AA02 , 4H006AC11 , 4H006AC81 , 4H006BA24 , 4H006BA48 , 4H006BA81 , 4H006BE20 , 4H039CA12 , 4H039CB10 , 4H050AA02 , 4H050AB40 , 4H050WA29 , 4H050WB11 , 4H050WB16 , 4H050WB21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭55-61937号公報
l-メントールの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-138438 Applicant：高砂香料工業株式会社
光学活性トリメチル乳酸およびそのエステル類の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-160426 Applicant：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト

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Cited by examiner (1)

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