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J-GLOBAL ID：200903081716509724

集積型薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 棚村 浩匡
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999300607
Publication number (International publication number)：2001119048
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板が大面積の場合においても、パターン加工精度を高く保ち、かつ、レーザスクライブ法に比較して高い加工速度を得ることができる、集積型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 透光性絶縁基板上にアモルファスシリコン系半導体からなる太陽電池セルを複数個直列接続した集積型薄膜太陽電池の製造方法において、アモルファスシリコン系半導体上に、金属薄膜からなる電極を堆積形成するステップと、堆積された電極を機械的切削手段により機械的に分割し、パターニングするステップとを備える。

Claim (excerpt)：

透光性絶縁基板上にアモルファスシリコン系半導体からなる太陽電池セルを複数個直列接続した集積型薄膜太陽電池の製造方法において、前記アモルファスシリコン系半導体上に、金属薄膜からなる電極を堆積形成するステップと、前記堆積された電極を機械的切削手段により機械的に分割し、パターニングするステップとを備えることを特徴とする、集積型薄膜太陽電池の製造方法。

F-Term (9)：

5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051EA02 ,  5F051EA11 ,  5F051EA13 ,  5F051EA16 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03