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J-GLOBAL ID：200903081734261470

低速陽電子発生装置

Inventor： 東 修
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992301238
Publication number (International publication number)：1994148395
Application date： Nov. 11, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速の陽電子を低速の陽電子とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った状態の低速陽電子を発生することを可能とする。【構成】 放射性同位元素22Naとモデレータ13との間に金属薄膜12を設けたため、放射性同位元素22Naから発散される高速陽電子e+ が金属薄膜12を通過するときに散乱して減速し、エネルギー分布のピーク値が低エネルギー側にシフトし、モデレータ13への打ち込み深さが浅くなり、モデレータ13から出射する低速の陽電子e+ の量が増加するので、高速の陽電子e+ を低速の陽電子e+ とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った状態の低速陽電子e+ を発生することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

放射性同位元素から発散する高速の陽電子を、モデレータで低速の陽電子とする低速陽電子発生装置において、前記放射性同位元素と前記モデレータとの間に、発生頻度の高い前記高速の陽電子の速度を減速させる金属薄膜を設けたことを特徴とする低速陽電子発生装置。

IPC (4)：

G21K 1/00 ,  G21G 4/04 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/06