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J-GLOBAL ID：200903081740868131

化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子

Inventor：
山田 永

About 山田 永

, 
福原 昇

About 福原 昇

, 
高田 朋幸

About 高田 朋幸


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 高野 昌俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002118443
Publication number (International publication number)：2003318185
Application date： Apr. 19, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 電流増幅率特性の改善されたInGaP系HBTを製造するための化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子を提供すること。【解決手段】 MOCVD法によりエミッタ層44を形成後にサブエミッタ層45を形成してInGaP系HBT製造用の半導体ウェーハ1を製造する場合、サブエミッタ層45を成長温度600°C以下及び又はV/III比20以下の条件で成長させる。これによりサブエミッタ層45におけるGa欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ1を製造することができる。また、サブエミッタ層45の形成前にベース層43の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上にコレクタ層、ベース層、エミッタ層及びサブエミッタ層をこの順序でMOCVD法を用いて気相成長させてInGaP系HBT製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、前記サブエミッタ層としてn型GaAs層をV/III比が20〜1.0の範囲となる成長条件で成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/737
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 H
F-Term (27)：
5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP42 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DP16 ,  5F045DP27 ,  5F045EE12 ,  5F045EK02 ,  5F045HA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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