Pat
J-GLOBAL ID：200903081767464660
半導体スイッチ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002215190
Publication number (International publication number)：2004056054
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】ペルチェ素子への電力供給用電源を外部に設けることを不要とすることにより、装置の小型化を可能にしたままで回路構成の簡単化を図り、更に冷却能力の向上を図ること。【解決手段】インバータ装置の運転が行われると、半導体チップ4のスイッチング素子がスイッチング動作を行うため半導体チップ4のチップ面温度が急上昇する。このとき、ゼーベック素子6における下端面の温度T1と上端面の温度T0との間の温度差により熱起電力がゼーベック素子6に発生する。この熱起電力は、点線矢印で示すように、各ペルチェ素子5に対して供給される。すると、ペルチェ素子5の下端側では発熱作用が行われ、上端側では吸熱作用が行われる。このときの吸熱作用により半導体チップ4に対する冷却が行われる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に取り付けられた半導体チップと、
ペルチェ効果発生のための起電力の供給を受け、前記半導体チップに形成されたスイッチング素子を冷却するペルチェ素子と、
を備えた半導体スイッチ装置において、
前記ペルチェ素子に対し前記ペルチェ効果の発生のための起電力を供給するゼーベック素子を備えた、
ことを特徴とする半導体スイッチ装置。
IPC (4)：
H01L35/32
, H01L23/38
, H01L35/34
, H02M1/00
H01L35/32
, H01L23/38
, H01L35/34
, H02M1/00 R
5F036AA01
, 5F036BA33
, 5F036BB35
, 5F036BF01
, 5H740BA11
, 5H740MM08
, 5H740PP02
, 5H740PP05
