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J-GLOBAL ID：200903081772445798
半導体装置の製造方法及び洗浄装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118888
Publication number (International publication number)：1993315331
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装に形成された極細の銅配線の洗浄液中における腐食を抑制する手段を提供することにある。【構成】 銅イオンあるいはBTAを含有させた洗浄液で洗浄することにより達成される。【効果】 純水を用いた洗浄液に比べ、腐食速度が1/10以下に低減できた。
Claim (excerpt)：
基板上に銅配線パターンを形成した後、その銅配線パタ-ンを銅イオンを含有する水溶液により洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/304 341
, H05K 3/26
