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J-GLOBAL ID：200903081774614791
測温抵抗体素子によるシリコンウェハー等の温度計測構造
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996158454
Publication number (International publication number)：1998009963
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、低温域における高精度な温度測定が可能であり、しかも測定誤差が少ない測温抵抗体素子を利用することができ、加えてセンサーの温接点の浮き上がりや接着剤の剥離等の取り付け不良が生じない測温抵抗体素子によるシリコンウェハー等の温度計測構造を提供しようとするものである。【解決手段】 本発明は、シリコンウェハー等の表面に有底の取付穴8を設け、この取付穴8底部に測温抵抗体素子1の感温部2を密着させて、或いは均一に近接させた状態で、冷間溶着剤9で固定したことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
シリコンウェハー等の表面に有底の取付穴を設け、この取付穴底部に測温抵抗体素子の感温部を密着させて、或いは均一に近接させた状態で、冷間溶着剤で固定したことを特徴とする測温抵抗体素子によるシリコンウェハー等の温度計測構造。
IPC (2)：
FI (3)：
G01K 1/14 L
, G01K 1/14 A
, G01K 7/18 A
