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J-GLOBAL ID：200903081776067704
強誘電体膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031855
Publication number (International publication number)：1993229827
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 PZT(PbZrxTi1-xO3),PLZT((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3)などのPbを組成に含む強誘電体膜を適正寸法の結晶粒を有する状態に形成する。しかも、熱処理中のPbOの蒸発を抑えて、予め過剰のPb成分を加えておく必要を無くすとともにピンホール発生量を低減して膜質を良くする。【構成】 Pbを含む所定の組成を有する膜1を基板に堆積する。ランプ加熱によって温度550〜650°C,1分間の熱処理を行って、上記堆積した膜1をペロブスカイト型結晶構造に変化させて強誘電体膜1′を形成する。
Claim (excerpt)：
Pbを含む所定の組成を有する膜を基板に堆積した後、所定の温度で熱処理を行って、上記堆積した膜をペロブスカイト型結晶構造に変化させて強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成方法において、上記熱処理をランプ加熱によって行うことを特徴とする強誘電体膜形成方法。
IPC (3)：
C01G 21/00
, H01B 3/12 301
, H01G 7/06
