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J-GLOBAL ID：200903081790511820
金属膜パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿部 美次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992255479
Publication number (International publication number)：1994081173
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】金属膜の膜厚減少及び受けるダメージを、確実に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供する。【構成】第1の工程は基板上に第1の金属膜及び第2の金属膜を積層形成した後、第2の金属膜上にフォトレジスト枠を付着させる。第2の工程はフォトレジスト枠によって区画された内外に第3の金属膜を付着させる。第3の工程はフォトレジスト枠を除去する。第4の工程はフォトレジスト枠の除去跡において、化学的選択エッチングにより、第2の金属膜を除去し第1の金属膜を残すように処理する。第5の工程は除去跡を満たし、第3の金属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる。第6の工程は、フォトレジストの外側の第3の金属膜、第2の金属膜、第1の金属膜及びフォトレジストを除去する。
Claim (excerpt)：
少なくとも6つの工程を含む金属膜パターン形成方法であって、第1の工程は、基板上に第1の金属膜及び第2の金属膜を積層して形成した後、第2の金属膜上にフォトレジスト枠を付着させる工程であり、第2の工程は、前記第2の金属膜の表面の前記フォトレジスト枠によって区画された内外に第3の金属膜を付着させる工程であり、第3の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程であり、第4の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡において前記第2の金属膜を除去し前記第1の金属膜を残すように処理する工程であって、前記第2の金属膜の除去手段が化学的選択エッチングであり、第5の工程は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡によって囲まれた第3の金属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる工程であり、第6の工程は、フォトレジストの外側の第3の金属膜、第2の金属膜、第1の金属膜及びフォトレジストを除去する工程である金属膜パターン形成方法。
IPC (3)：
C23F 1/00 102
, G03F 7/26
, G11B 5/31
