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J-GLOBAL ID：200903081792464993
電荷トラツプ膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313313
Publication number (International publication number)：1993129629
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 深いトラップ準位を有し、しかも優れた絶縁耐圧を持った電荷トラップ膜の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板11上にトンネル酸化膜12を形成し、その上にポリシリコン膜16を堆積する。このポリシリコン膜16に燐等の不純物をドープした後、ポリシリコン膜16を熱酸化する。これにより、ポリシリコン膜16内部のシリコングレイン13が熱酸化膜14で覆われた電荷トラップ膜15を得る。必要により、上記工程を繰り返して多層構造の電荷トラップ膜15を得る。熱酸化膜14は、スパッタリングやCVD法で得られる酸化膜に比べて、絶縁性が優れているので、電荷トラップ膜15は高い絶縁耐圧を持つ。また、熱酸化膜14で覆われたシリコングレイン13は、深いトラップ準位を持つので、信号電荷の保持特性に優れている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にポリシリコン膜を堆積する工程と、前記ポリシリコン膜中のシリコン結晶粒(シリコングレイン)を熱絶縁膜で覆う工程と、を備えたことを特徴とする電荷トラップ膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
, H01L 29/784
H01L 29/78 371
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 N
Cited by examiner (5)
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