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J-GLOBAL ID:200903081795097843

酸化物単結晶ウェーハ用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 宏 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999331377
Publication number (International publication number):2001152134
Application date: Nov. 22, 1999
Publication date: Jun. 05, 2001
Summary:
【要約】【目的】タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム等、比較的高硬度の酸化物単結晶ウェーハの効率的ポリッシング加工を行なう研磨用組成物を提供する。【構成】BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが40〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bとの径の比率B/Aが1以上1.4未満の酸化珪素粒子を含み、酸化珪素粒子の溶液全体での含有率が3〜25重量%のコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であるように導電性を与える成分を含有し、かつpHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用の研磨用組成物および研磨方法である。
Claim (excerpt):
BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが40〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bとの径の比率B/Aが1以上1.4未満の酸化珪素粒子を含み、該酸化珪素粒子の溶液全体での含有率が3〜25重量%のコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であるように導電性を与える成分を含有し、かつ、pHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用研磨用組成物。
IPC (3):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 622
FI (3):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/304 622 D

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