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J-GLOBAL ID：200903081795134951
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143865
Publication number (International publication number)：1999340507
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光素子を基板より分割する際に発生する欠けをなくすようにする。【解決手段】 表面が(0001)面で正三角形のn型GaN基板3の主面上にn型GaN層4、p型GaN層5および正電極6が順次同一形状で積層された構造であって、その側面は(-1010)面、(01-10)面および(1-100)面である。これにより分割方向を結晶の劈開面に沿う方向にすることができ、分割する際半導体発光素子の欠けをなくすことができる。
Claim (excerpt)：
主面を有する基板と、前記基板の主面上に前記基板の主面と同一形状に積層された複数の半導体層からなる半導体発光部とを有し、前記半導体層の表面が少なくとも2辺の交わる角度が60度または120度である面形状であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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