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J-GLOBAL ID：200903081808140360

投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 折井 誠司 ,  吽野 靖行 ,  米川 雅見
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334437
Publication number (International publication number)：1993144700
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 露光光の吸収による熱的変化に伴う光学特性の変動を補正し高解像度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面2上のパターンを投影光学系1により第2物体面3上に投影露光する際、該投影光学系中にレンズ面を利用して少なくとも1つのレンズ密閉空間を形成し、該レンズ密閉空間の内気圧が外気圧と略等しくなるように維持しつつ、該レンズ密閉空間内に屈折率の異なる少なくとも2種類の気体を有する混合気体を充填し、該混合気体の混合比を制御することにより該投影光学系の光学特性を制御したこと。

Claim (excerpt)：

第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系中にレンズ面を利用して少なくとも1つのレンズ密閉空間を形成し、該レンズ密閉空間の内気圧が外気圧と略等しくなるように維持しつつ、該レンズ密閉空間内に屈折率の異なる少なくとも2種類の気体を有する混合気体を充填し、該混合気体の混合比を制御することにより該投影光学系の光学特性を制御したことを特徴とする投影露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/207