強誘電体メモリおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：春日讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997250466
Publication number (International publication number)：1999097636
Application date： Sep. 16, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】情報蓄積用容量素子のリーク不良の発生を十分に防止し安定的に動作させることができる強誘電体メモリを及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層された白金膜1を備えた下部電極2と、この下部電極2の白金膜1上に形成されPZT等からなる強誘電体膜3と、この強誘電体膜3上に形成された上部電極4とを有する情報蓄積用容量素子5が、Si基板6と電気的に接続されている。下部電極2は、白金膜1より下方に設けられSi基板6から白金膜1に作用する応力を緩和する導電性の応力緩和膜8を備えている。この応力緩和膜8は、その熱膨張係数がSiの熱膨張係数(=3×10-6[K-1])より大きい材料、好ましくは白金の熱膨張係数(=9×10-6[K-1])より大きい材料で形成されている。

Claim (excerpt)：

白金膜を備えた下部電極と、この下部電極の前記白金膜上に形成された強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する情報蓄積用容量素子が、Si基板と電気的に接続されている強誘電体メモリにおいて、前記下部電極は、前記白金膜より下方に設けられ、前記Si基板から前記白金膜に作用する応力を緩和する導電性の応力緩和膜を備えていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-153084
キャパシタ、電極又は配線構造、及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039093 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-274197 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

岩波理化学事典 , 19810224, 第3版増補版, p.1031,1045

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