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J-GLOBAL ID：200903081816811061

光デバイス

Inventor： 田口 歩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039026
Publication number (International publication number)：1994250242
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 制御装置などの付加的手段を設けず、光学的構成により、効率よく安定に高調波を生成可能な光デバイスを提供する。【構成】 疑似位相整合(QPM)条件を満たす半導体レーザ5と、QPM-SHG(二次高調波発生)素子とを光学的に接続して構成される。QPM-SHG素子は、強誘電体結晶素子6の上に光導波路4および分極反転部3を形成し、QPM分極反転構造を持たせる。半導体レーザ5から基本光がQPM-SHG素子に入射され、2次高調波光が生成される。QPM-SHG素子の出射側端面2は、QPM-SHG素子内で生成される2次高調波の一部をQPM分極反転構造に反射させるように形成される。反射されてQPM分極反転構造に入射した2次高調波は基本光との非線型光学的相互作用を介して基本光と同じ波長を持ち基本光の伝播方向と逆方向に進む光に再生成され、半導体レーザ5に帰還される。

Claim (excerpt)：

疑似位相整合条件を満たし、誘導放射による所定の波長の光を射出端面から射出する光源と、該光源と光学的に接続され、所定の波長選択性を有し、該光源からの出射光を受け入れる入射側端面と該入射側端面に対向して設けられた出射側端面とを有し、前記入射側端面に入射した光を所定の高調波に変換する非線形光学変換素子であって、前記出射端面が前記高調波光の一部を前記入射側端面に向けて反射するように形成された非線形光学変換素子とを有する光デバイス。

IPC (2)：

G02F 1/35 ,  H01S 3/109

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-147881
  
• 特開平4-003127
  
• 特開昭64-035423