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J-GLOBAL ID：200903081818822958

薄膜半導体素子及びその製造方法

Inventor： 佐々木 厚
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001156015
Publication number (International publication number)：2002353458
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】タングステンの酸化物生成による薄膜半導体素子の信頼性の劣化及びゲート絶縁膜質に起因する特性の劣化を防止するゲート絶縁膜を用いることにより、信頼性と特性に優れた薄膜半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】所定形状のシリコン半導体膜2、所定形状の第1のゲート絶縁膜3、所定形状の第2のゲート絶縁膜4、所定形状のゲート電極膜5を具備した薄膜半導体素子において、第1のゲート絶縁膜3を膜応力の絶対値が300MPa以下であるシリコン酸化膜とし、第2のゲート絶縁膜4をシリコン酸窒化膜とし、ゲート電極膜5をモリブデンとタングステンの合金で形成する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板の表面にシリコン半導体膜と、その表面のゲート絶縁膜と、その表面のゲート電極膜と、その表面のゲート配線膜と、前記ゲート電極膜を覆う層間絶縁膜と、前記シリコン半導体膜から表面に導通するソース及びドレイン電極膜を具備した薄膜半導体素子において、前記ゲート絶縁膜が、第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜がこの順番に形成され、前記第1のゲート絶縁膜が膜応力の絶対値300MPa以下であるシリコン酸化膜であり、前記第2のゲート絶縁膜がシリコン酸窒化膜であり、前記ゲート電極膜がモリブデンとタングステンの合金であることを特徴とする薄膜半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5)：

H01L 21/283 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 M

F-Term (42)：

4M104AA09 ,  4M104BB16 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF14 ,  5F058BF15 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03