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J-GLOBAL ID：200903081832638701

SF6ガスを用いた低誘電率薄膜の製造方法

Inventor： ビョウンゴン ユ ,  ウォンイック ジャン ,  セウンヨル カン ,  クワンホ キム ,  ジョンテ バエク
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国電子通信研究所
Agent (1)： 富田 和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996251706
Publication number (International publication number)：1997181073
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フッ素系の原料ガスを用いて低誘電率を有するSiOF低誘電率薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 RPCVD装置の反応炉に半導体基板10を実装し、フッ素の原料ガスとしてSF6+N2O混合ガスかつSF6+O2混合ガスを注入し、酸化シリコン(SiO)の原料ガスとしてSiH4ガスまたはTEOS(OC2H5)4)を注入し、半導体基板10上にSiOF低誘電率薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

SF6ガスを用いた低誘電率薄膜製造方法において、RPCVD装置の反応炉に半導体基板を実装し、フッ素の原料ガスとしてSF6ガスを注入すると共に、酸化シリコン(SiO)の原料ガスとしてSiH4ガス、かつTEOS(OC2H5)4)を注入し、SiOF薄膜を製造することを特徴とする低誘電率薄膜の製造方法。