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J-GLOBAL ID：200903081838239310

増幅装置

Inventor：
佐想 亨

About 佐想 亨


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012537
Publication number (International publication number)：2000216307
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 熱暴走を防止することができ、良好な高周波特性を得ることができる増幅装置を提供する。【解決手段】 多層基板1には、レジスト層2及びこのレジスト層2上に形成された厚さが約70〜100μmの第4導体層3dが設けられている。更に、第4導体層3d上には樹脂製の第3誘電体層4cが積層されている。第1導体層3a上には、半導体チップ11が、直接又は銅合金等の金属板からなるマウント部8を介して、載置されている。また、多層基板1には、半導体チップ11の直下に形成され第1導体層3aから第4導体層3dまで達するサーマルビア5が形成されている。更に、多層基板1の端面には、サーマルビア5の金属メッキ層5bに接続された接地・放熱用端面電極6が形成されている。
Claim (excerpt)：
多層基板と、この多層基板上に設けられ増幅回路を備えた半導体チップと、を有する高周波増幅装置において、前記多層基板は、厚さが70μm以上の導体層と、この導体層上に形成された樹脂層と、前記半導体チップの直下で表面から前記導体層まで達するサーマルビアと、端面に形成され前記導体層に接続された接地・放熱用端面電極と、を有することを特徴とする増幅装置。
IPC (2)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12 301
FI (2)：
H01L 23/36 C ,  H01L 23/12 301 J
F-Term (3)：
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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