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J-GLOBAL ID：200903081855249737

高配向性ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ

Inventor： 小山 久 ,  宮田 浩一 ,  斉藤 公続 ,  デービッド・レイン・ドレイフェス ,  ブライアン・ライズ・ストーナー
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315548
Publication number (International publication number)：1995086311
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 トランスコンダクタンスが大きく、理想的な電流-電圧特性を持つたダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ソース電極4に接触した第1の半導体ダイヤモンド層1と、ドレイン電極6に接触し第1の半導体ダイヤモンド層1と同一導電型の第2の半導体ダイヤモンド層3と、この二つのダイヤモンド層1,3の間に設けられ厚さが10Å乃至1mmで102Ω・cm以上の電気抵抗を有し、ゲート電極5の作用を受ける高抵抗ダイヤモンド層2とから成る。これら三つのダイヤモンド層の内、少なくとも一部は、薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、その結晶面方位を示すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°を同時に満足する。

Claim (excerpt)：

ソース電極に接触した第1の半導体ダイヤモンド層と、ドレイン電極に接触し前記第1の半導体ダイヤモンド層と同一導電型の第2の半導体ダイヤモンド層と、ゲート電極の作用を受ける領域であって前記第1及び第2の半導体ダイヤモンド層の間の領域に設けられ厚さが10Å乃至1mmで102Ω・cm以上の電気抵抗を有する高抵抗ダイヤモンド層とを備え、これらの第1及び第2の半導体ダイヤモンド層並びに高抵抗ダイヤモンド層によりチャネル領域が構成されていると共に、前記第1及び第2の半導体ダイヤモンド層並びに前記高抵抗ダイヤモンド層の内、少なくとも一部は、薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、その結晶面方位を示すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°を同時に満足することを特徴とする高配向性薄膜電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/314