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J-GLOBAL ID：200903081861879351

多層基板に設けられた高周波バルン

Inventor： ダブロウスキイ,イエルジイ
Applicant, Patent owner： テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル)
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997531706
Publication number (International publication number)：2000506344
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： May. 23, 2000
Summary：

【要約】本発明によるバルンは多層誘電体構造において互いに接続された分布および個別の両素子を用いる。分布素子として、接合ストリップ線が多層誘電体構造内に設けられる。個別構成要素は多層構造の表面上に配置され、ビア孔を介して分布素子と接続される。バルンの動作周波数は多層構造それ自体を変更しなくとも個別素子の値を変えることによって変化され得る。

Claim (excerpt)：

バルンであって、 第1のコンデンサに結合された非対称信号ポートを具備し、上記第1のコンデンサは多層構造の最上層上に設けられ、 上記最上層の下方に設けられた第1の接地面層を具備し、 上記接地面層の下方の第3の層上に設けられたストリップ線素子の結合対を具備し、上記ストリップ線伝送素子の結合対は第1、第2および第3の接続ノードを有し、上記第1のコンデンサは上記第1のノードに接続され、 上記ストリップ線伝送素子の結合対の上記第2のノードに接続された第1の対称信号ポートを具備し、上記第2のノードと上記第1の対称信号ポートとの間に第1の伝送線素子、第2のコンデンサおよび第2の伝送線素子の組合せが設けられ、 上記ストリップ線伝送素子の結合対の上記第3のノードに接続された第2の対称信号ポートを具備し、上記第3のノードと上記第2の対称信号ポートとの間に第3の伝送線素子、第3のコンデンサおよび第4の伝送線素子の組合せが設けられ、 上記第2および第3のコンデンサも上記多層構造の上記最上層上に設けられるようにされた、前記バルン。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭54-087459
  
• 特開昭54-087459