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J-GLOBAL ID：200903081864974975
イオン選択膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992163179
Publication number (International publication number)：1994000394
Application date： Jun. 23, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】非晶質シリコンを基材として膜質と耐久性に優れるイオン選択性の薄膜を製造する。【構成】プラズマCVD装置10の真空容器11にシラン系化合物3を供給し、これにスルフォン酸系化合物4またはアミン系化合物5を添加したふん囲気内のプラズマCVD法により担体1の上にスルフォン酸基4aまたはアミノ基5aを含む非晶質シリコンの薄膜であるイオン選択膜2を堆積させ、かつアミノ基5aを含む薄膜に対しては塩酸による処理を施すことにより、陽イオン6aまたは陰イオン7aに対し選択性をもつ陽イオン選択膜6または陰イオン選択膜7とする。
Claim (excerpt)：
シラン系化合物にスルフォン酸系化合物を添加したふん囲気内のプラズマCVD法によって担体の上にスルフォン酸基を含み陽イオンに対して選択性をもつ非晶質シリコンの薄膜を堆積させることを特徴とするイオン選択膜の製造方法。
IPC (2)：
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