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J-GLOBAL ID：200903081868553060

イオン伝導体

Inventor： 田嶋 良一
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994103764
Publication number (International publication number)：1995114941
Application date： May. 18, 1994
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 導電率が高く、かつフィルム成形可能なイオン伝導体を提供すること。【構成】 下記式(1)で表わされる含フッ素ポリエーテルに、アルカリ金属塩と有機溶媒を含有させたことを特徴とするイオン伝導体。【化1】(式中、nは102〜105)

Claim (excerpt)：

下記式(1)で表わされる含フッ素ポリエーテルに、アルカリ金属塩と有機溶媒を含有させたことを特徴とするイオン伝導体。【化1】(式中、nは102〜105)