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J-GLOBAL ID:200903081872241570

酸化亜鉛単結晶の育成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡邉 一平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993286894
Publication number (International publication number):1995138094
Application date: Nov. 16, 1993
Publication date: May. 30, 1995
Summary:
【要約】【目的】 種結晶の縮小化を抑制し、効率よく結晶成長させることができるZnO単結晶の育成方法を提供する。【構成】 水熱合成法を利用したZnO単結晶の育成方法である。それぞれ溶解速度の異なるZnO原料を育成容器下部の原料充填部に充填し、種結晶を育成容器上部の結晶育成部に設置する。原料充填部が結晶育成部より高温になるように、温度調整を行い、ZnO単結晶を育成する。
Claim (excerpt):
ZnO単結晶を水熱合成法を用いて育成するに当たり、(1) 夫々溶解速度の異なるZnO原料を育成容器下部の原料充填部に充填し、(2) ZnO種結晶を、育成容器上部の結晶育成部に設置し、(3) アルカリ溶媒を育成容器に充填し、次いで、育成容器を封止し、(4) しかる後、原料充填部が結晶育成部より高温となるように、育成容器内温度を調整して昇温及び育成を行う、ことを特徴とするZnO単結晶の育成方法。
IPC (3):
C30B 29/16 ,  C01G 9/02 ,  C30B 7/10

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