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J-GLOBAL ID：200903081879376152

化学的誘導及び抽出による無機汚染物質の除去方法

Inventor： モンテ エイ.ダグラス ,  アレン シー.テンプルトン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997199998
Publication number (International publication number)：1998099806
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェーハから無機汚染物質、特に金属汚染物質を除去する方法を提供する。【解決手段】 実質的に半導体基体の表面から無機汚染物質を除去する方法において、前記無機汚染物質を少なくとも一種類の転化剤と反応させ、それによって前記無機汚染物質を転化し、前記転化した無機汚染物質を少なくとも一種類の溶媒剤にかけてそれを除去し、その際、前記溶媒剤が第一超臨界流体中に含有されており、前記転化した無機汚染物質が前記無機汚染物質よりも一層高度に前記溶媒剤に対し可溶性である、諸工程からなる無機汚染物質の除去方法。

Claim (excerpt)：

実質的に半導体基体の表面から無機汚染物質を除去する方法において、前記無機汚染物質を少なくとも一種類の転化剤と反応させ、それによって前記無機汚染物質を転化し、前記転化した無機汚染物質を少なくとも一種類の溶媒剤にかけてそれを除去し、その際、前記溶媒剤が第一超臨界流体中に含有されており、前記転化した無機汚染物質が前記無機汚染物質よりも一層高度に前記溶媒剤に対し可溶性である、諸工程からなる無機汚染物質の除去方法。

IPC (5)：

B08B 7/00 ,  B01D 11/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/50

FI (5)：

B08B 7/00 ,  B01D 11/00 ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 V ,  C11D 7/50