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J-GLOBAL ID：200903081884055160
磁界印加式単結晶製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160123
Publication number (International publication number)：1998007486
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 水平方向に磁界を与える方式の磁界印加式単結晶製造装置において、ルツボに生じる磁界強度の均一度を改善することを目的とする。【解決手段】 単結晶原料融液1が充填されたルツボ2の両側に設けられた一対の主コイル21aおよびこれらの主コイル21aより直径が小さく同軸で励磁方向が逆の一対の副コイル21bにより、より均一度の高い磁界を供給する。
Claim (excerpt)：
ルツボに充填された単結晶原料融液に種結晶を挿入し、この結晶を引き上げることにより単結晶を生成する単結晶引上部と、上記単結晶原料融液部に水平方向の磁界を与えるための磁界発生部と、を備え、上記磁界発生部が、上記結晶引上部の両側に設けられた一対の主コイル、およびこれらの主コイルより直径が小さく同軸で励磁方向が逆の一対の副コイルを含むことを特徴とする磁界印加式単結晶製造装置。
IPC (4)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, C30B 33/04
, H01L 21/208
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 G
, C30B 33/04
, H01L 21/208 P
