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J-GLOBAL ID：200903081884537172

プラズマ処理装置

Inventor： 西村 智和 ,  永渕 互 ,  藤吉 英治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314974
Publication number (International publication number)：1994163427
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】被加工物の表面処理が良好にでき、かつ保守が簡単なプラズマ処理装置を得ること。【構成】被加工物、例えば、半導体ウエハSを装着する電極30の母材11Aの表面にポリイミド系薄膜シート31を密着して被覆し、かつその母材11Aの周辺部もポリイミド系薄樹脂で形成したペデスタルリング32で覆った電極30で構成したプラズマ処理装置である。【効果】被加工物を充分に冷却することができ、従来の電極の構成要素から発生していた重金属が被加工物の表面を汚染したり、ダストの発生を防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

被加工物を載置する面の電極母材の表面にポリイミド系薄膜シートを密着して被覆したことを特徴とするプラズマ処理装置用電極。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302