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J-GLOBAL ID：200903081891123855

コンタクト部形成方法

Inventor： 木下 多賀雄 ,  斎藤 聡
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992121802
Publication number (International publication number)：1993315284
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1上に形成されたコンタクトホールに密着層としてTi/TiN層6を形成する。次に、シランの流量を50SCCM、六フッ化タングステンの流量を5SCCMとし、基板温度を425〜450°Cとして、シラン還元を行い、シリコンリッチのタングステン層7を形成する。その後、水素と六フッ化タングステンとを用いた水素還元により、コンタクトホールにタングステン層8を形し、エッチバックした後、配線9を形成する。【効果】 低コンタクト抵抗で且つ低リーク電流のコンタクト特性を有するコンタクト部を得ることができる。

Claim (excerpt)：

コンタクトホールに密着層としてTi/TiN層を形成した後に、反応ガスとして、シランと六フッ化タングステンとを用いてCVD法により、シリコンリッチのタングステン層を形成した後、ブランケットCVD法によりタングステンを前記コンタクトホールに埋設する工程を有することを特徴とするコンタクト部形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46