ポジ型レジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 栗宇百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002223234
Publication number (International publication number)：2004062045
Application date： Jul. 31, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及びスカムが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)側鎖に-SO2-構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び(B)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び(B)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F7/039 , C08F28/02 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 , C08F28/02 , H01L21/30 502R

F-Term (52)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB03 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J100AL26R , 4J100AP01P , 4J100AR09Q , 4J100AR11Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA20P , 4J100BA22Q , 4J100BA58P , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC01P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC23P , 4J100BC26P , 4J100BC27P , 4J100BC43P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA38 , 4J100DA39 , 4J100FA03 , 4J100FA18 , 4J100FA34 , 4J100FA41 , 4J100JA37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (26)

珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-180392 Applicant：信越化学工業株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-240600 Applicant：富士写真フイルム株式会社
開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-114075 Applicant：三井化学株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A New Photoresist Material for 157 nm Lithography-2

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